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100条估计旌旗灯号完备性效应的经验法则二

标签:估计,灯号,完备,效应,经验,法则 时间:2019年12月14日 阅读7
【导读】在上一篇文章“100条估计旌旗灯号完备性效应的经验法则(一)”中,我们介绍了50条估计旌旗灯号完备性效应的经验法则。本文中,我们将介绍剩下的50条估计旌旗灯号完备性效应的经验法则。   100条估计旌旗灯号完备性效应的经验法则二   估计旌旗灯号完备性效应的经验法则(51-100):   51、远端容性负载会增长旌旗灯号的上升时间。10-90%上升时间约是(100*C)PS,其中C的单位是pF。   52、假如突变的电源模块容小于0.004*产生较多的反射噪声RT,则可能不会产生题目。   53、50欧姆传输线中拐角的电源模块容(pF)是线宽(MIL)的2倍。   54、容性突变会使50%点的时延约增长0.5*Z0*C。   55、假如突变的电源模块感(nH)小于上升时间(ns)的10倍,则不会产生题目。   56、对上升时间少于1ns的旌旗灯号,回路电源模块感约为10nH的轴向引脚电源模块阻可能会产生较多的反射噪声,这时可换成片式电源模块阻。   57、在50欧姆体系中,必要用4pF电源模块容来补偿10nH的电源模块感。   58、1GHz时,1盎司铜线的电源模块阻约是其在DC状况下电源模块阻的15倍。   59、1GHz时,8mil宽的传输线的电源模块阻产生的衰减与介质材料产生的衰减相称,并且介质材料产生的衰减随着频率转变得更快。   60、对于3mil或更宽的传输线而言,低损耗状况全是发生在10MHz频率以上。在低损耗状况时,特征阻抗以及旌旗灯号速度与损耗和频率无关。在常见的级互连中,不存在由损耗引起的色散征象。   61、-3dB衰减相称于初始旌旗灯号功率减小到50%,初始电源模块压幅度减小到70%。   62、-20dB衰减相称于初始旌旗灯号功率减小到1%,初始电源模块压幅度减小到10%。   63、当处于趋肤效应状况时,旌旗灯号路径与返回路径的单位长度串联约是(8/W)*sqrt(F)(其中线宽W:mil、频率F:GHz)。   64、50欧姆的传输线中,由导体产生的单位长度衰减约是36/(WZ0)dB/inch。   65、FR4的耗散因子约是0.02。   66、1GHz时,FR4中由介质材料产生的衰减约是0.1dB/inch,并随频率线性增长。   67、对于FR4中的8mil宽、50欧姆传输线,在1GHz时,其导体损耗与介质材料损耗相称。   68、受损耗因子的制约,FR4互连线(其长是LEN)的带宽约是30GHz/Len。   69、FR4互连线可以传播的最短时间是10ps/inch*Len。   70、假如互连线长度(inch)大于上升时间(ns)的50倍,则FR4介质板中由损耗引起的上升边退化是不可忽视的。   71、一对50欧姆微带传输线中,线间距与线宽相称时,旌旗灯号线间的耦合电源模块容约占5%。   72、一对50欧姆微带传输线中,线间距与线宽相称时,旌旗灯号线间的耦合电源模块感约占15%。   73、对于1ns的上升时间,FR4中近端噪声的饱和长度是6inch,它与上升时间成比例。   74、一跟线的负载电源模块容是一个常数,与附近其他线的接近程度无关。   75、对于50欧姆微带线,线间距与线宽相称时,近端串扰约为5%。   76、对于50欧姆微带线,线间距是线宽的2倍时北京网页设计,近端串扰约为2%。   77、对于50欧姆微带线,线间距是线宽的3倍时,近端串扰约为1%。   78、对于50欧姆带状线,线间距与线宽相称时,近端串扰约为6%。   79、对于50欧姆带状线,线间距是线宽的2倍时,近端串扰约为2%。   80、对于50欧姆带状线,线间距是线宽的3倍时,近端串扰约为0.5%。   81、一对50欧姆微带传输线中,间距与线宽相称时,远端噪声是4%*TD/RT。假如线时延是1ns,上升时间时0.5ns,则远端噪声是8%。   82、一对50欧姆微带传输线中,间距是线宽的2倍时,远端噪声是2%*TD/RT。假如线时延是1ns,上升时间时0.5ns,则远端噪声是4%。   83、一对50欧姆微带传输线中,间距是线宽的3倍时,远端噪声是1.5%*TD/RT。假如线时延是1ns,上升时间时0.5ns,则远端噪声是4%。   84、带状线或者完全嵌入式微带线上没有远端噪声。   85、在50欧姆总线中,不管是带状线照旧微带线,要使最怀情况下的远端噪声低于5%,就必须保持线间距大于线宽的2倍。   86、在50欧姆总线中,线间距离等于线宽时,受害线上75%的窜扰来源于受害线两边邻近的那两跟线。   87、在50欧姆总线中,线间距离等于线宽时,受害线上95%的窜扰来源于受害线两边距离最近的每边各两根线条。   88、在50欧姆总线中,线间距离是线宽的2倍时,受害线上100%的窜扰来源于受害线两边邻近的那两根线条。这是忽略与总线中其他所有线条间的耦合。   89、对于外观布线,加大相邻旌旗灯号线间的距离使之足以添加一个防护布线,串扰常常就会减小到一个可以接受的水平搜索引擎排名,而且这时没需要增长防护布线。添加终端短接的防护布线可将串扰减小到50%。   90、对于带状线,使用防护线可以使串扰减小到不用防护线时的10%。   91、为了保持开关噪声在可以接受的水平,必须使互感小于2.5nH*上升时间(ns)。   92、对于受开关噪声限定的接插件或者封装来说,最大可用的时钟频率是250MHz/(N*Lm)。其中,Lm是旌旗灯号/返回路径对之间的互感(nH)产品代言费报价表,N是同时开关线的数量。   93、在LVDS旌旗灯号中,共模旌旗灯号分量是差分旌旗灯号分量达2倍以上。   94、假如之间没有耦合,差分对的差分阻抗是其中任意一个单端线阻抗的2倍。   95、一对50欧姆微带线,只要其中一跟线的电源模块压维持在高或低不变广告策划,则另一跟线的单端特征阻抗就与邻近线的距离完全无关。   96、在紧耦合差分微带线中,与线宽等于线间距时的耦合相比,线条离得很远而没有耦应时,差分特征阻抗仅会降低10%左右。   97、对于宽边耦合差分对,线条间的距离应至少比线宽大,这么做的目的是为了获得可高达100欧姆的差分阻抗。   98、FCC的B级要求是,在100MHz时,3M远处的远场强度要小于150μV/M。   99、邻近的单端攻击次线在强耦合差分对上产生的差分旌旗灯号串扰比弱耦合差分对上的少30%。   100、邻近的单端攻击次线在强耦合差分对上产生的共模旌旗灯号串扰比弱耦合差分对上的多30%。    

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